Dienstleistungen

Bauelemente- und Prozeßcharakterisierung

SPICE - Modellierung

Messung des 1/f-Rauschens an Bipolar- und MOS-Transistoren und Bestimmung der Rauschparameter für Simulationsmodelle

Bild : 1/f-Rauschen eines Bipolartransistors

Das Bild zeigt den Rauschstrom eines BC549B bei Ic=(0.75, 1.5, 3, 6 ,12)mA. Die Rauschspannung wurde mit einem Spectrumanalyser in drei Frequenzabschnitten gemessen. Vorhergehende Kalibriermessungen sichern den Absolutbezug dieser Rauschspannung. Der Rauschstrom wird anschließend mit dem Quellwiderstand Rs berechnet. Mittels eines Fit-Programms werden die Spice-Parameter AF und KF extrahiert. Die Messschaltung (haupsächlich Rc und Rs) und der Arbeitspunkt des Transistors (Ic) müssen in der Spice-Simulation berücksichtigt werden. Die durchgezogenen Linien zeigen das simulierte Rauschverhalten des Gummel-Poon-Modells mit den extrahierten Parametern AF und KF.

Leistungsspektrum zum niederfrequenten Rauschen:

• Rauschleistungsdichtemessung (Inoise, Enoise - an diskreten Strukturen und auf dem Wafer):
  • MOS-Transistoren
  • Bipolartransistoren
  • Dioden
  • Verstärker
• Extraktion der Rauschparameter für verschiedene Modelle in diversen Simulatoren
• Bestimmung der Rauschzahl NF