Dienstleistungen

Bauelemente- und Prozeßcharakterisierung

SPICE - Modellierung

Integrierte MOS-Transistoren

Messung und Modellierung für Simulationsmodelle integrierter Elemente

Inhalt

• DC-Messung von integrierten MOS-Transistoren und Bestimmung der Modellparameter
• AC-Messung, Testfeldgestaltung

DC-Messung von integrierten MOS-Transistoren und Bestimmung der Modellparameter für Simulationsmodelle

Bild 1: DC-Messung und -Modellierung eines integrierten MOS-Transistors

Das Bild 1 zeigt den Vergleich eines parametrisierten MOS-Modells (EKV) mit den Messdaten eines 0.65um Prozesses (Punkte). Da MOS-Modelle (BSIM3v3, EKV..) eine Geometriesteuerung besitzen, muss der hier dargestellte Modellfit einer Geometrie (Weite=3um, Länge=3um) auch bei anderen Weiten und Längen erreicht werden. Bei hohen Anforderungen an die Geometriesteuerung (für analoge Anwendungen) müssen dazu auf einem Test-Wafer je Kanaltyp bis zu 15 Transistoren mit unterschiedlichen Längen und Weiten bereitgestellt werden. Im folgenden Bild ist eine Weite- Länge-Teilung für ein CMOS-Transistorpaar dargestellt, die die Anforderungen aus der Extraktion von Geometrieparametern berücksichtigt.

AC-Messung und Testfeldgestaltung für integrierte MOS-Transistoren

Bild 2: Längen- und Weitenvariation in einem Testfeld für eine typische CMOS-Technologie

Zur Bestimmung der AC-Parameter sind weitere Test-Strukturen erforderlich, an denen z.B. CU-Messungen durchgeführt werden.

Leistungsspektrum zu integrierten MOS-Transistoren:

• DC- und AC-Messungen auf dem Wafer im Temperaturbereich
• Extraktion der DC-, AC-, Temperatur-, und Rauschparameter
• Statistische Untersuchungen für die Erstellung einer min/max-Library
• Bereitstellung und Verifikation des parametrisierten Modells für diverse Simulatoren