Dienstleistungen

Bauelemente- und Prozeßcharakterisierung

SPICE - Modellierung

Messung der Transit-Frequenz Ft an Bipolar- und MOS-Transistoren und Bestimmung der Modellparameter für Simulationsmodelle

Bild : Ft-Kurven eines Bipolartransistors (auf dem Waver gemessen)

Das Bild zeigt die Transit-Frequenz eines Bipolar-Transistors bei verschiedenen Arbeitspunkten. Mit einem Network Analyzer wurden Messungen der S-Parameter durchgeführt. Die Transit-Frequenzen werden aus den errechneten H-Parametern nach der 100 MHz-Methode berechnet. Die glatten Linien zeigen das simulierte Verhalten des Gummel-Poon-Modells mit den extrahierten AC-Parametern, die punktierten Linien zeigen die Messresultate.

Leistungsspektrum zur Messung der Transit-Frequenz:

• Messung der S-Parameter, Berechnung der H-Parameter und Transit-Frequenz Ft an diskreten Strukturen oder auf dem Wafer:
  • MOS-Transistoren
  • Bipolar-Transistoren
  • Dioden
  • Verstärker
• Extraktion der Modellparameter für verschiedene Modelle in diversen Simulatoren