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Analyse, Zuverlässigkeit, Klima, Test

OBIC - Verfahren

Optische-Elektronische Spezialmikroskopie

Die Nutzung des Laserscanmikroskopes LSM 21 IR gestattet neben den normalen optischen Inspektionen mit Auflösungen bis in den Sub-Micron-Bereich, spezielle Untersuchungen an Halbleitermaterialien und -bauelementen. Vorteilhaft für die Untersuchungen ist dabei, daß sie absolut zerstörungsfrei sind, kein Vakuum benötigen und Passivierungsschichten nicht stören.

1. OBIC (Optical Beam Induced Current)
   • Leckstrom-Ermittlung
   • Latch-Up Effekte an CMOS - Strukturen
   • Abstands- und Justagefehler an implantierten Strukturen
   • Diffusions-Längen an PN-Übergängen
   • Parameterabhängigkeiten von IC's (Spannung, Temperatur, Schaltzustände)
   • Logische Zustandsanalyse von CMOS-Schaltungen
   • Soft - error testing an Speicherbauelementen (Fehlerstimulation)
   • Test von Leistungsbauelementen
   • Infrarot OBIC an Laser- und Photodioden
2. Infrarot Scan Mikroskopie (IR 1152nm)
   • Metallisierungsdefekte
   • Kontamination, Korrosion, Elektromigration, Einwirkungen von mechanischem Stress
   • Back - Examination von Halbleiterchips und -scheiben
   • Tiefenuntersuchungen von verdeckten Schichten - Optisches Trennen von Tiefenschnitten mit 3D - Visualisierungsmöglichkeiten

Die beiden linken Abbildungen zeigen optische Aufnahmen mit HeNe Laser Scanning (633nm) an verschiedenen Halbleitertechnologien (Bipolar und NMOS). Das Ergebnis einer Falschfarbendarstellung einer OBIC - Aufnahme zeigt Teile zweier Eingangsschutzschaltungen eines CMOS-Chips (1.5um), bei der die obere Diode unter Spannung gesetzt wurde.

Sie können alle Aufnahmen durch Klick in besserer Qualität sehen!