Zu einigen Modellierungsarbeiten ist es sinnvoll, eine technologische Gegenrechnung mit Hilfe eines Bauelementesimulators durchzuführen. Das Programm PISCES II der Stanford University / USA bietet dazu folgende Möglichkeiten:
Folgende Bilder zeigen ein einfaches NMOS-Beispiel (1.5um). Nach Eingabe einer technologischen Prozeßbeschreibung erhält man den Konturplot der Dotierung sowie das Dotierungsprofil:
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Aus diesen Eingaben errechnet das Programm den Drainstrom als Funktion von Gate- und Drainspannung bei konstanter Bulksteuerung:
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